16岁上大学，族谋中28岁成为中科院金属研究所研究员，族谋中36岁被任命为中科院金属研究所所长，38岁当选中国最年轻的中科院院士，41岁成为美国《科学》杂志创刊以来第一位担任评审编辑的中国科学家。
因此，杀案实现介电基底上图案化石墨烯的直接生长就显得非常重要。此外，现实石墨烯具有优异的化学稳定性，使其在电子、光电、生物传感器等应用领域有很大的应用前景。
面向于应用，豪门需将其转移至介电衬底上，此过程操作复杂且容易引起污染、破损等问题。【图文解读】图一、恩怨NPSSc-面上石墨烯的选择性生长（a）石墨烯在NPSSc-面上选择性生长的示意图。目前，远比在介电基底（蓝宝石、远比SiO2/Si等）上通过CVD法直接生长石墨烯薄膜已取得了系列进展，但是图案化石墨烯的直接生长仍未有所报道，需要迫切解决。
图五、电影图案化石墨烯在高质量AlN薄膜生长与高性能LED中的应用（a）图案化石墨烯/NPSS上AlN成核阶段的SEM图像。更精（d）图案化石墨烯的原子分辨图像。
图二、族谋中NPSSc-面上生长的图案化石墨烯的表征（a）NPSS的c-面上生长的图案化石墨烯的XPS全谱。
杀案（b）低压体系下NPSS表面气体流速的二维仿真模拟。迄今Nature,Acc.Chem.Res.,Chem.Soc.Rev.,J.Am.Chem.Soc.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.等国际化学和材料界等杂志上发表论文500余篇（他引15000余次），现实出版合著4部，现实合作译著1部，担任担任《CCSChemistry》主编、《光电子科学与技术前沿丛书》主编、《中国大百科全书》第三版化学学科副主编、物理化学分支主编。
曾任北京大学现代物理化学研究中心主任(1995–2002)，豪门物理化学研究所所长(2006–2014)，豪门北京市科委挂职副主任（2016–2017），北京市低维碳材料工程中心主任（2013–2018），国家攀登计划(B)、973计划和纳米重大研究计划项目首席科学家，国家自然科学基金表界面纳米工程学创新研究群体学术带头人(三期)等。坦白地说，恩怨尽管其合成是在相对较低的温度下进行的，但目前其商业化的瓶颈在于合成效率低和成本高。
藤岛昭，远比国际著名光化学科学家，远比光催化现象发现者，多次获得诺贝尔奖提名，因发现了二氧化钛单晶表面在紫外光照射下水的光分解现象，即本多-藤岛效应（Honda-FujishimaEffect），开创了光催化研究的新篇章，后被学术界誉为光催化之父。获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、电影香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、电影中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。
